主要適用于粉末材料在高溫條件下熱處理或者粉末材料的表面材料生長，該回轉加熱系統集控制系統與爐膛為一體。爐膛使用高純氧化鋁纖維材料，采用電阻絲為加熱元件。加熱系統設計為上下可開啟式結構，方便觀察石英管以及物料的狀態。

薄膜材料制備廣泛用于:真空或氣氛燒結、基片鍍膜等要求加熱溫度較高的實驗環境。該設備技術成熟、質量可靠，溫場均勻，結構合理，法蘭以卡箍密封，安裝拆卸簡便快捷，是各大材料實驗室的理想設備之一。

該系統為 PECVD系統，它包括真空管式爐系統、石英真空室、真空抽氣與真空測量系統、氣路系統、射頻電源系統、匹配器，溫度范圍寬：100-1100度可調。適用范圍寬:金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜，連續生長各種薄膜等

設備描述：CVD化學氣相沉積多通道質量流量控制系統一款多路質量流量計控制系統，其質量流量計和不銹鋼混氣罐都安裝在一個移動柜里，移動柜Z大可以承重1000Lbs，所以在與本公司大多數管式爐配套使用時，可將設備置于移動柜上以節約空間。各通道氣路的流量設定和狀態顯示都集中在一個7“的觸摸屏上，同時可以實時查看氣體流量曲線和數據。此款設備廣泛的用于材料界中CVD實驗和各種材料的退火實驗。

化學氣相沉積設備CVD1200C-II-SL 200D50-5Z 雙溫區滑軌式CVD系統由雙溫區滑軌爐、質子流量控制系統、真空系統三部分組成。雙溫區滑軌爐可移動并可實現快速升降溫；PLC控制5路質子流量器，能夠精確控制系統的供氣；真空泵可實現對管式爐快速抽真空。CVD（化學氣象沉積系統）常用于表面材料生長、沉積，是一款實驗室常用設備技術參數